- 制造厂商：Microchip
- 类别封装：场效应管模块，SP1
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
- APTC60AM35T1G现货渠道商，Microchip（微芯科技）代理优势货源
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APTC60AM35T1G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTC60AM35T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：72A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 72A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：518nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 25V
- 功率 - 最大值：416W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP1
- 供应商器件封装：SP1
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