TPC8212-H(TE12LQ,M 技术参数详情：
- 型号:TPC8212-H(TE12LQ,M
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:8-SOP（5.5x6.0）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:840pF @ 10V
- 功率 - 最大值:450mW
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8212-H(TE12LQ,M优势代理货源，国内专业的Kioxia芯片采购服务平台。
