- 制造厂商：Kioxia
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:IPAK
- 技术参数：MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
- TK12Q60W,S1VQ现货渠道商，Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）代理优势货源
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TK12Q60W,S1VQ 技术参数详情：
- 型号:TK12Q60W,S1VQ
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 600A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:890 pF @ 300 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
- TK12Q60W,S1VQ优势代理货源，国内专业的Kioxia芯片采购服务平台。
