RN1706JE(TE85L,F) 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RN1706JE(TE85L,F)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：4.7 千欧
- 电阻器-发射极(R2)：47 千欧
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250A，5mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 频率-跃迁：250MHz
- 功率-最大值：100mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-553
- RN1706JE(TE85L,F)优势代理货源，国内专业的Kioxia芯片采购服务平台。
