- 制造厂商：Kioxia
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
- 技术参数：SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A
- MG600Q2YMS3(DAE)现货渠道商，Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）代理优势货源
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MG600Q2YMS3(DAE) 技术参数详情：
- 型号:MG600Q2YMS3(DAE)
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 600mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:53000pF @ 600V
- 功率 - 最大值:2000W（Tc）
- 工作温度:150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
- MG600Q2YMS3(DAE)优势代理货源，国内专业的Kioxia芯片采购服务平台。
