- 制造厂商:Inventchip
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263-7
- 技术参数:GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
- IV2Q171R0D7Z现货渠道商,Inventchip (瞻芯电子)代理优势货源
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IV2Q171R0D7Z 技术参数详情:
- 型号:IV2Q171R0D7Z
- 品牌:Inventchip公司 (瞻芯电子)
- 封装:TO-263-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
- 系列:-
- 包装:
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.3A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):910 毫欧 @ 1A,18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 380uA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 18 V
- Vgs(最大值):+20V,-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):285 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):73W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片)
- IV2Q171R0D7Z优势代理货源,国内专业的Inventchip芯片采购服务平台。