- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
- 技术参数：MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
- SPD04P10PL G现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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SPD04P10PL G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：SPD04P10PL G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.2A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 380A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：372pF @ 25V
- 功率 - 最大值：38W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- SPD04P10PL G优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
