- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
- SPD01N60C3现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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SPD01N60C3 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：SPD01N60C3
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
- 系列：CoolMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 25V
- 功率 - 最大值：11W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- SPD01N60C3优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
