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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：RF场效应管，PG-SON-10
- 技术参数：FET RF LDMOS 8W SON10
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PTFA220081M V4 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：PTFA220081M V4
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：FET RF LDMOS 8W SON10
- 系列：-
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：940MHz
- 增益：20.7dB
- 电压 - 测试：28V
- 额定电流：-
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：100mA
- 功率 - 输出：8W
- 电压 - 额定：65V
- 封装/外壳：10-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：PG-SON-10
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