- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SO
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
- IRF8513TRPBF现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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IRF8513TRPBF 技术参数详情：
- 型号:IRF8513TRPBF
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，11A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.5 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.35V @ 25A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:766pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.5W，2.4W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
- IRF8513TRPBF优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
