产品参考图片
- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO252-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
- 丰富的英飞凌公司产品，英飞凌芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IPD600N25N3GATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IPD600N25N3GATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：OptiMOS?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：250V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2350pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO252-3
- IPD600N25N3GATMA1优势代理货源，国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Infineon代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台