- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO252-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
- IPD096N08N3 G现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
IPD096N08N3 G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPD096N08N3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：73A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.6 毫欧 @ 46A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2410pF @ 40V
- 功率 - 最大值：100W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- IPD096N08N3 G优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
