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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO263
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
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IPB65R280C6 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPB65R280C6
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
- 系列：CoolMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：280 毫欧 @ 4.4A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 100V
- 功率 - 最大值：104W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：PG-TO263
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