- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-HSOF-8-2
- 技术参数：SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
- IMT65R50M2HXUMA1现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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IMT65R50M2HXUMA1 技术参数详情：
- 型号:IMT65R50M2HXUMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-HSOF-8-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48.1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 18.2A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 3.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:237W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-HSOF-8-2
- 封装/外壳:8-PowerSFN
- IMT65R50M2HXUMA1优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
