- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO252-3
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
- IKD10N60RFATMA1现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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IKD10N60RFATMA1 技术参数详情：
- 型号:IKD10N60RFATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:150 W
- 开关能量:190J（导通），160J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:64 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns
- 测试条件:400V，10A，26 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):72 ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:PG-TO252-3
- IKD10N60RFATMA1优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
