- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 5.5 TO220-3
- BUZ73AL H现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BUZ73AL H 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BUZ73AL H
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 5.5 TO220-3
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 3.5A，5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 25V
- 功率 - 最大值：40W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：PG-TO-220-3
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