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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：场效应管阵列，PG-TO263-5
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
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BTS7904B 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BTS7904B
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V，30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.7 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 40μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：121nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6100pF @ 25V
- 功率 - 最大值：69W，96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-6，D2Pak（5 引线+接片），TO-263BA
- 供应商器件封装：PG-TO263-5
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