- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，PG-TSDSON-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- BSZ0904NSI现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSZ0904NSI 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ0904NSI
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Ta），18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 15V
- 功率 - 最大值：37W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- BSZ0904NSI优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
