- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-SOT223-4
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- BSP135IXTSA1现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSP135IXTSA1 技术参数详情：
- 型号:BSP135IXTSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-SOT223-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 沟道，耗尽型
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 欧姆 @ 120mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 94A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:98 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-SOT223-4
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- BSP135IXTSA1优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
