- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：场效应管阵列，PG-DSO-8
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- BSO612CV G现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSO612CV G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSO612CV G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A，2A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：PG-DSO-8
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