- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：场效应管阵列，PG-DSO-8
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
- BSO330N02K G现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSO330N02K G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSO330N02K G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：PG-DSO-8
- BSO330N02K G优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
