- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：场效应管阵列，P-DSO-8
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
- BSO303P现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSO303P 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSO303P
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.2A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 8.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1761pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：P-DSO-8
- BSO303P优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
