- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，8-SO
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
- BSO201SP现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSO201SP 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSO201SP
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：128nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5962pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
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