- 制造厂商:Infineon
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:模块
- 技术参数:IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
- BSM35GD120DN2现货渠道商,Infineon(英飞凌)代理优势货源
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BSM35GD120DN2 技术参数详情:
- 型号:BSM35GD120DN2
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:模块
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:NPT
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
- 功率 - 最大值:280 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,35A
- 电流 - 集电极截止(最大值):-
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):2 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块
- BSM35GD120DN2优势代理货源,国内专业的Infineon芯片采购服务平台。