
- 制造厂商:英飞凌
 - 类别封装:场效应管阵列,PG-TSOP6-6
 - 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
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BSL214N L6327 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:BSL214N L6327
 - 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
 - 描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
 - 系列:OptiMOS?
 - FET 类型:2 个 N 沟道(双)
 - FET 功能:逻辑电平门
 - 漏源极电压 (Vdss):20V
 - 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.5A
 - 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
 - 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA
 - 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.8nC @ 5V
 - 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):143pF @ 10V
 - 功率 - 最大值:500mW
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:SC-74,SOT-457
 - 供应商器件封装:PG-TSOP6-6
 - BSL214N L6327优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
 

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