- 制造厂商：Infineon
- 类别封装：单端场效应管，MG-WDSON-2
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
- BSB014N04LX3 G现货渠道商，Infineon（英飞凌）代理优势货源
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BSB014N04LX3 G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSB014N04LX3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
- 系列：OptiMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：36A（Ta），180A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：196nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：16900pF @ 20V
- 功率 - 最大值：89W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDSON
- 供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M
- BSB014N04LX3 G优势代理货源，国内专业的Infineon芯片采购服务平台。
