
- 制造厂商:英飞凌
 - 类别封装:RF场效应管,PG-SOT363-6
 - 技术参数:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
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BG 5412K E6327 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:BG 5412K E6327
 - 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
 - 描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
 - 系列:-
 - 晶体管类型:2 N-通道(双)
 - 频率:800MHz
 - 增益:24dB
 - 电压 - 测试:5V
 - 额定电流:25mA
 - 噪声系数:1.1dB
 - 电流 - 测试:10mA
 - 功率 - 输出:-
 - 电压 - 额定:8V
 - 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
 - 供应商器件封装:PG-SOT363-6
 - BG 5412K E6327优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
 

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