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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：E3
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
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MWI100-12A8T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MWI100-12A8T
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：NPT
- 配置：三相反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：160A
- 功率-最大值：640W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，100A
- 电流-集电极截止（最大值）：6.3mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：6.5nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-
- 安装类型：底座安装
- 封装：E3
- MWI100-12A8T优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
