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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 阵列，封装：24-SMD 模块（9 引线）
- 技术参数：IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
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MMIX4G20N250 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMIX4G20N250
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
- 系列：晶体管 - IGBT - 阵列
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：2500V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：23A
- 功率-最大值：100W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.1V @ 15V，20A
- 电流-集电极截止（最大值）：10μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：1190pF @ 15V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：24-SMD 模块（9 引线）
- MMIX4G20N250优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
