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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 650V 160A 625W TO247AD
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IXXH80N65B4 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXXH80N65B4
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 650V 160A 625W TO247AD
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：GenX4?, XPT?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：160A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：430A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
- 功率-最大值：625W
- 开关能量：3.77mJ（开），1.2mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：120nC
- 25°C时Td（开/关）值：38ns/120ns
- 测试条件：400V，80A，3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- IXXH80N65B4优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
