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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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IXT-1-1N100S1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXT-1-1N100S1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- IXT-1-1N100S1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
