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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 技术参数：IGBT 600V 55A 200W TO268
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IXST30N60C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXST30N60C
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 600V 55A 200W TO268
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：110A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A
- 功率-最大值：200W
- 开关能量：700μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：100nC
- 25°C时Td（开/关）值：30ns/90ns
- 测试条件：480V，30A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- IXST30N60C优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
