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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 600V 100A 300W TO3P
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IXGQ50N60B4D1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXGQ50N60B4D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 600V 100A 300W TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：230A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，36A
- 功率-最大值：300W
- 开关能量：930μJ（开），1mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：110nC
- 25°C时Td（开/关）值：37ns/330ns
- 测试条件：400V，36A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：25ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
- IXGQ50N60B4D1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
