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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单端场效应管，TO-247AD
- 技术参数：MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
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IXFH10N100 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXFH10N100
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
- 系列：HiPerFET?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：155nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4000pF @ 25V
- 功率 - 最大值：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247AD （IXFH）
- IXFH10N100优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
