
- 制造厂商:IXYS
 - 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
 - 技术参数:IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
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IXBH9N160G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IXBH9N160G
 - 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
 - 描述:IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
 - 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
 - 产品系列:BIMOSFET?
 - 零件状态:有源
 - IGBT类型:-
 - 电压-集射极击穿(最大值):1600V
 - 电流-集电极(Ic)(最大值):9A
 - 电流-集电极脉冲(Icm):10A
 - 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):7V @ 15V,5A
 - 功率-最大值:100W
 - 开关能量:-
 - 输入类型:标准
 - 栅极电荷:34nC
 - 25°C时Td(开/关)值:-
 - 测试条件:960V,5A,27 欧姆,10V
 - 反向恢复时间(trr):-
 - 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
 - 安装类型:通孔
 - 封装:TO-247-3
 - IXBH9N160G优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
 

















