- 制造厂商：Harris
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-HVMDIP
- 技术参数：MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
- IRFD9123现货渠道商，Harris (Harris Corporation, 哈里斯)代理优势货源
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IRFD9123 技术参数详情：
- 型号:IRFD9123
- 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
- 封装:4-HVMDIP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:4-HVMDIP
- 封装/外壳:4-DIP（0.300
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