- 制造厂商：Harris
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-263AB
- 技术参数：IGBT 600V 27A TO-263AB
- HGT1S12N60B3DS现货渠道商，Harris (Harris Corporation, 哈里斯)代理优势货源
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HGT1S12N60B3DS 技术参数详情：
- 型号:HGT1S12N60B3DS
- 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
- 封装:TO-263AB
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 27A TO-263AB
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:27 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:104 W
- 开关能量:304J（导通），250J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:78 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/150ns
- 测试条件:480V，12A，25 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AB
- HGT1S12N60B3DS优势代理货源，国内专业的Harris芯片采购服务平台。
