- 制造厂商：Goford
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-DFN（4.9x5.75）
- 技术参数：N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
- GC11N65D5现货渠道商，Goford (Goford Semiconductor, 高福特)代理优势货源
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GC11N65D5 技术参数详情：
- 型号:GC11N65D5
- 品牌:Goford Semiconductor (Goford)
- 封装:8-DFN（4.9x5.75）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:901 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN（4.9x5.75）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- GC11N65D5优势代理货源，国内专业的Goford芯片采购服务平台。
