- 制造厂商：GeneSiC
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-QFN（5x6）
- 技术参数：GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
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NV6015C-RA 技术参数详情：
- 型号:NV6015C-RA
- 品牌:GeneSiC (Navitas Semiconductor,纳微半导体)
- 封装:8-QFN（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 4A，7V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.4 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:+7V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:57W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-QFN（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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