- 制造厂商:GeneSiC
- 类别封装:二极管 - 整流器 - 阵列,封装:三塔
- 技术参数:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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MURTA200120R 技术参数详情:
- 制造商产品型号:MURTA200120R
- 制造商:GeneSiC Semiconductor
- 描述:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- 系列:二极管 - 整流器 - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- 二极管配置:1 对共阳极
- 二极管类型:标准
- 电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V
- 电流-平均整流(Io)(每二极管):100A
- 不同If时电压-正向(Vf):2.6V @ 100A
- 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间(trr):-
- 不同Vr时电流-反向泄漏:25μA @ 1200V
- 工作温度-结:-55°C ~ 150°C
- 安装类型:底座安装
- 封装:三塔
- MURTA200120R优势代理货源,国内领先的GeneSiC芯片采购服务平台。