- 制造厂商：GeneSiC
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
- 技术参数：3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
- G2R120MT33J-TR现货渠道商，GeneSiC代理优势货源
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G2R120MT33J-TR 技术参数详情：
- 型号:G2R120MT33J-TR
- 品牌:GeneSiC (Navitas Semiconductor,纳微半导体)
- 封装:TO-263-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:3300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:156 毫欧 @ 15A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+20V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3009 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:366W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
- G2R120MT33J-TR优势代理货源，国内专业的GeneSiC芯片采购服务平台。
