- 制造厂商：GE
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:模块
- 技术参数：SIC 6N-CH 1700V 425A MODULE
- GE17045EEA3现货渠道商，GE (GE Aerospace, 通用电气)代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
GE17045EEA3 技术参数详情：
- 型号:GE17045EEA3
- 品牌:GE公司 (GE Aerospace, General Electric Company, 通用电气)
- 封装:模块
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:SIC 6N-CH 1700V 425A MODULE
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1700V（1.7kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):425A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.45 毫欧 @ 425A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 160mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1207nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29100pF @ 900V
- 功率 - 最大值:1250W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块
- GE17045EEA3优势代理货源，国内专业的GE芯片采购服务平台。
