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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：JFET结点场效应管，SOT-23-3
- 技术参数：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23
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MMBFJ112 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMBFJ112
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23
- 系列：-
- FET 类型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
- 漏源极电压 (Vdss)：-
- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
- 漏极电流 (Id) - 最大值：-
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1μA
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
- 电阻 - RDS（开）：50 欧姆
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值：350mW
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