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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：FET - 阵列，12-PowerWDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V POWER
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FDMD8900 技术参数详情：
- 制造商产品型号: FDMD8900
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V POWER
- 系列: -
- FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A，17A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2605pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 2.1W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 12-PowerWDFN
- 供应商器件封装: 12-PQFN（3.3x5）
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