- 制造厂商：EPC
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:9-BGA（1.35x1.35）
- 技术参数：MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
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EPC2108 技术参数详情：
- 型号:EPC2108
- 品牌:EPC (EPC)
- 封装:9-BGA（1.35x1.35）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 配置:3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:60V，100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A，500mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 100A，2.5V @ 20A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 30V，7pF @ 30V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-VFBGA
- 供应商器件封装:9-BGA（1.35x1.35）
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