CTLDM8120-M832DS BK 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CTLDM8120-M832DS BK
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- 描述：MOSFET DUAL N-CHANNEL
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：860mA（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.56nC(4.5V)
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 16V
- 功率-最大值：1.65W
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-TDFN
- CTLDM8120-M832DS BK优势代理货源，国内专业的Central芯片采购服务平台。
