- 制造厂商：CGD
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:16-DFN（8x8）
- 技术参数：650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
- CGD65A055SH2现货渠道商，CGD (Cambridge GaN Devices)代理优势货源
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CGD65A055SH2 技术参数详情：
- 型号:CGD65A055SH2
- 品牌:CGD公司 (Cambridge GaN Devices)
- 封装:16-DFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:77 毫欧 @ 2.2A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 12 V
- Vgs（最大值）:+20V，-1V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:16-DFN（8x8）
- 封装/外壳:16-PowerVDFN
- CGD65A055SH2优势代理货源，国内专业的CGD芯片采购服务平台。
