- 制造厂商：Analog Power
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DFN（8x8）
- 技术参数：GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
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AMTP65H150G4LSGB 技术参数详情：
- 型号:AMTP65H150G4LSGB
- 品牌:Analog Power Inc. (Analog Power)
- 封装:4-DFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DFN（8x8）
- 封装/外壳:4-PowerTSFN
- AMTP65H150G4LSGB优势代理货源，国内专业的Analog Power芯片采购服务平台。
