- 制造厂商：Alliance Memory
- 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:66-TSOP II
- 技术参数：IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
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AS4C64M16D1-6TIN 技术参数详情：
- 型号:AS4C64M16D1-6TIN
- 品牌:Alliance Memory, Inc. (Alliance Memory)
- 封装:66-TSOP II
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
- 供应商器件封装:66-TSOP II
- AS4C64M16D1-6TIN优势代理货源，国内专业的Alliance Memory芯片采购服务平台。
