- 制造厂商：ANBON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-3
- 技术参数：N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
- AS1M080120P现货渠道商，ANBON (ANBON SEMICONDUCTOR)代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
AS1M080120P 技术参数详情：
- 型号:AS1M080120P
- 品牌:ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (ANBON)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
- 系列:-
- 包装:
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1475 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- AS1M080120P优势代理货源，国内专业的ANBON芯片采购服务平台。
